| 型号：MT9HTF12872AZ-80EH1 | 类别：存储器 - 模块 | 制造商：Micron Technology Inc |
| 封装：240-UDIMM | 描述：MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM | |
详细参数
| 类别 | 存储器 - 模块 |
|---|---|
| 描述 | MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM |
| 系列 | - |
| 制造商 | Micron Technology Inc |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 1GB |
| 速度 | 800MT/s |
| 特点 | - |
| 封装/外壳 | 240-UDIMM |
供应商
| 济南誉光微电电子科技有限公司 | 王小姐0531-88891493 |
| 深圳市芯宇华航科技有限公司 | 张先生18025408677 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市芯宇华航科技有限公司 | 江小姐+86 18025419171 |
| 深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐，171-4729-0036微信同号，无线联通更快捷171-4729-0036（微信同号） |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱0755- 83211840 83242762 |
MT9HTF12872AZ-80EH1相关型号
- MT9D111I93STCD ES
过时/停产零件编号
Aptina LLC
6.0＂ L x 4.8＂ W x 0.7＂ H（152mm x 122mm x 18mm）
KIT DEVELOPMENT FOR MT9D111
- TC164-JR-07220RL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 220 OHM 4 RES 1206
- STB28NM50N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
- T97F336K050ESA
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 33UF 50V 10% 3024
- SMBJ8.5A-13
TVS - 二极管
Diodes Inc
DO-214AA，SMB
TVS UNI-DIR 8.5V 600W SMB
- SR201C823KAA
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.082UF 100V 10% RADIAL
- T95V106K6R3EZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1410
- TC164-JR-07270KL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 270K OHM 4 RES 1206
- MT9D112I93STCD ES
过时/停产零件编号
Aptina LLC
KIT DEVELOPMENT FOR MT9D112
- STB30NF20L
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
- T97F336K050ESB
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 33UF 50V 10% 3024
- SMBJ8.5A-E3/52
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA，SMB
TVS UNIDIR 600W 8.5V 5% SMB
- SR201C823KAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.082UF 100V 10% RADIAL
- STB30NF20L
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
- MT9D131C12STCD ES
评估板 - 传感器
Aptina LLC
48-CLCC
KIT DEV FOR MT9D131
- TC164-JR-07390RL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 390 OHM 4 RES 1206
- T95V106K6R3LZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1410
- T97H337K020EAA
钽
Vishay Sprague
3226（8066 公制）
CAP TANT 330UF 20V 10% 3226
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E104MARTR2
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
- STB30NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- T95V106M6R3ESSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- T97R106K075LSA
钽
Vishay Sprague
2824（7260 公制）
CAP TANT 10UF 75V 10% 2824
- SR201E224MAA
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
- STB34NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- T95V106M6R3EZAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- MT9HTF12872KY-40EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-MDIMM
MODULE DDR2 1GB 244-MDIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E224MAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3EZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB40N20
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
- TC164-JR-073RL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 3 OHM 4 RES 1206
- T97R108K6R3CAB
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 3024
- MT9HTF12872KY-53EA2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Littelfuse Inc
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BIDIR 5% SMB
- SR201E473MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.047UF 100V 20% RADIAL
- STB4N62K3
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
- T95V106M6R3HZAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
